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30V P channel enhanced MOS FET cxms5252 cxms5252c cxms5252l, advanced channel technology, high density and ultra-low resistance design, improved forming process, used for LED screen drive
CXMS5252
VDS= -20V
RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 65mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 98mΩ@TYP
先进的沟道工艺技术
高密度超低电阻设计
改良的成形工艺
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VDS= -20V
RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 65mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 98mΩ@TYP
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改良的成形工艺
应用范围 返回TOP
LED屏驱动等
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