用于笔记本电脑的电源管理系统便携式设备和供电系统双重增强型MOSFET  CXMS5262超高密度电池设计可靠耐用
N 沟道 20V/7A 
RDS(ON)=12mΩ(typ.)@VGS=4.5V 
RDS(ON)=17mΩ(typ.)@VGS=2.5V
 P 沟道 -20V/-5.5A 
 RDS(ON)=33mΩ (typ.)@VGS= -4.5V 
 RDS(ON)=45mΩ (typ.)@VGS= -2.5V
超高密度电池设计 
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[ CXMS5262 ]"
 
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N 沟道 20V/7A
RDS(ON)=12mΩ(typ.)@VGS=4.5V
RDS(ON)=17mΩ(typ.)@VGS=2.5V
P 沟道 -20V/-5.5A
RDS(ON)=33mΩ (typ.)@VGS= -4.5V
RDS(ON)=45mΩ (typ.)@VGS= -2.5V
产品特点 返回TOP
 超高密度电池设计
 可靠耐用
 封装形式:SOP-8
 工作温度范围:-55~150℃
应用范围 返回TOP
 用在笔记本电脑的电源管理系统
 用在便携式设备和电池的供电系统
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