Cxle8417 integrated active power factor correction circuit can achieve high power factor and low total harmonic distortion. Due to the critical continuous mode of inductor current, the power MOS transistor is in the zero current on state, and the switching loss is reduced
At the same time, the utilization ratio of transformer is also high.
Cxle8416 cxle8417 works in the original side feedback mode. Without secondary feedback circuit, it can achieve high-precision output constant current control, save the cost and volume of the system, and improve the reliability of the system. Cxle8416 in cxle8417
With the integration of 700V power MOSFET, only a few peripheral devices are needed, which saves the cost and volume of the system and improves the reliability of the system
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[ CXLE8416 ]"
目录
1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（产品PDF文档）
5.产品封装图 6.电路原理图 7.功能概述 8.相关产品
一,产品概述(General Description)
CXLE8416 CXLE8417是一款单级、带有源功率因数校正的高精度原边反馈LED恒流控制芯片， 适用于85Vac～265Vac全范围输入电压的反激式隔离LED恒流电源。CXLE8416 CXLE8417集成有源功率因数校正电路，可以实现很高的功率因数和很低的总谐波失真。由于工作在电感电流临界连续模式， 功率MOS 管处于零电流开通状态，开关损耗得以减小，同时变压器的利用率也较高。
CXLE8416 CXLE8417工作于原边反馈模式，无需次级反馈电路，即可实现高精度输出恒流控制，节约了系统成本和体积，提高了系统的可靠性。 CXLE8416 CXLE8417内部集成700V功率MOSFET，只需要很少的外围器件，节约了系统成本和体积，提高了系统的可靠性。
CXLE8416 CXLE8417线电压调整率和负载调整率参数优异，同时线电压补偿系数还可以通过外部元件灵活调整。 CXLE8416 CXLE8417内置多重保护功能来加强系统可靠性，包括LED开路保护、LED短路保护、芯片供电过压保护、欠压保护、电流采样电阻开路保护和逐周期限流等。所有的保护都具有自动重启功能。另外，CXLE8416 CXLE8417具有过热调节功能，在驱动电源过热时减小输出电流，以提高系统的可靠性。CXLE8416 CXLE8417采用SOP-8/DIP-7
封装。
二.产品特点(Features)
单级、有源功率因数校正，高PF 值，低THD
内置700V 高压功率MOSFET
原边反馈恒流控制，无需次级反馈电路
±3% LED 输出电流精度
优异的线电压调整率和负载调整率
电感电流临界连续模式
超低启动电流
FB 反馈电阻值高，功耗低
LED 开路/短路保护
电流采样电阻开路保护
逐周期原边电流限流
芯片供电过压/欠压保护
自动重启功能
过热调节功能
三,应用范围 (Applications)
LED
四.技术规格书下载（产品PDF）
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
五,产品封装图 (Package)
|
引脚号 |
符号 |
功能 |
|
1 |
COMP |
环路补偿点 |
|
2 |
VDD |
芯片电源 |
|
3 |
FB |
反馈信号采样端 |
|
4 |
ISEN |
电流采样端，接采样电阻到地 |
|
5、6 |
DRAIN |
内部 MOSFET 的漏端 |
|
7、8 |
GND |
芯片地 |
六.电路原理图
七,功能概述
|
项目 |
符号 |
参数范围 |
单位 |
|
电源电压 |
VDD |
-0.3～25 |
V |
|
VDD 引脚最大钳位电流 |
ICC_MAX |
5 |
mA |
|
环路补偿点电压 |
VCOMP |
-0.3～6 |
V |
|
辅助绕组的反馈端电压 |
VFB |
-0.3～6 |
V |
|
电流采样端电压 |
VISEN |
-0.3～6 |
V |
|
内部功率 MOSFET 漏极到源极的峰值电压 |
VMOS-DS |
-0.3～700 |
V |
|
o |
Ptot |
0.45@ SOP-8 |
W |
|
0.90@ DIP-7 |
|||
|
热阻结-环境 |
|||
|
Rthj-a |
145@ SOP-8 |
℃/W |
|
|
80@ DIP-7 |
|||
|
工作结温范围 |
|||
|
TJ |
-40～150 |
℃ |
|
|
存储温度范围 |
TSTG |
-55～150 |
℃ |
|
ESD |
2,000 |
V |
八,相关芯片选择指南
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隔离产品 |
|||||
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产品型号 |
隔离/非隔离 |
内置功率管 |
封装形式 |
功率范围 |
|
|
Y |
MOSFET,650V/0.8A |
SOP-8 |
5-7W |
(SOP-8)_CN |
|
|
Y |
MOSFET,650V/1.2A |
SOP-8 |
7-9W |
(SOP-8)_CN |
|
|
Y |
MOSFET,650/2.0A |
DIP-7 |
12-18W |
(DIP-7)_CN |
|
|
Y |
MOSFET,700V/3.0A |
SOP-8,DIP-7 |
12-18W |
(SOP-8&DIP-7)_CN |
|
|
Y |
MOSFET,700V/4.0A |
DIP-7 |
18-24W |
(DIP-7)_CN |
|
|
Y |
MOSFET,BJT |
SOP-8 |
UP to 60W |
(SOP-8)_CN |
|
