Cxle8414 cxle8415a has built-in high-precision sampling and compensation circuit, which enables the circuit to achieve constant current accuracy within ?3%, with
Excellent linear adjustment rate and load adjustment rate, and the LED open circuit protection voltage can be easily controlled through the external resistance of radj pin.
Cxle8414 cxle8415a internally integrated 650V power Osfet adopts dual winding primary side feedback mode, no secondary feedback circuit, no compensation circuit, and precise and stable adaptive technology, which makes the system peripheral structure very simple, can realize high-precision constant current control under the condition of small number of peripheral devices and loose parameter range, greatly saving system cost and volume, and can ensure led in mass production Consistency of lamp parameters. Cxle8414 cxle8415a has rich protection functions: output short circuit protection, sampling power
Short circuit protection, undervoltage protection, output over-voltage protection, over temperature adaptive regulation
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[ CXLE8414 ]"
目录
1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（产品PDF文档）
5.产品封装图 6.电路原理图 7.功能概述 8.相关产品
一,产品概述(General Description)
CXLE8414 CXLE8415A是一款高精度原边反馈的 LED 恒流驱动芯片，适用于85Vac~265Vac
全范围输入电压、功率9W 以下的反激式隔离 LED 恒流电源。
CXLE8414 CXLE8415A内置了高精度的采样、补偿电路，使得电路能够达到±3%以内的恒流精度，具有
优异的线型调整率和负载调整率，并且通过 RADJ 引脚外接电阻可以方便地控制 LED 开路保护电压。
CXLE8414 CXLE8415A内部集成了650V 功率 MOSFET，采用双绕组原边反馈模式，无需次级反馈电路，
也无需补偿电路，加之精准稳定的自适应技术，使得系统外围结构十分简单，可在外围器件数量少，参
数范围宽松的条件下实现高精度恒流控制，极大地节约了系统成本和体积，并且能够确保在批量生产时
LED 灯具参数的一致性。CXLE8414 CXLE8415A具有丰富的保护功能：输出开短路保护、采样电
阻开短路保护、欠压保护、输出过压保护、过温自适应调节等。
二.产品特点(Features)
内部集成650V功率管
±3%以内的系统恒流精度
原边反馈恒流控制，无需次级反馈电路
无需辅助绕组检测和供电，实现双绕组结构
LED 开路电压可通过外部电阻调整
芯片超低工作电流
宽输入电压
输出开短路保护
采样电阻开短路保护
输出过压保护
芯片供电欠压保护
过热自适应调节功能
简洁的系统拓补，外围器件极少
三,应用范围 (Applications)
LED 灯具
四.技术规格书下载（产品PDF）
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
五,产品封装图 (Package)
|
引脚号 |
符号 |
功能 |
|
1 |
ISEN |
电流采样，外接电阻 |
|
2 |
VDD |
工作电源 |
|
3 |
GND |
电源地 |
|
4 |
RADJ |
设置开路保护，外接电阻 |
|
5 |
NC |
空脚 |
|
6 |
NC |
空脚 |
|
7 |
DRN |
功率 MOSFET 的漏端 |
|
8 |
DRN |
功率 MOSFET 的漏端 |
六.电路原理图
七,功能概述
|
项目 |
符号 |
参数范围 |
单位 |
|
电源电压 |
VDD |
-0.3-20 |
V |
|
漏极电压 |
VDRN |
-0.3-650 |
V |
|
电流采样端电压 |
VISEN |
-0.3-6 |
V |
|
最大工作电流 |
IDDMAX |
5 |
mA |
|
开路保护电压调节端 |
VRADJ |
-0.3-6 |
V |
|
最大耗散功率(Ta=25 C) |
Ptot |
0.45 |
W |
|
热阻结-环境 |
Rthj-a |
145 |
℃/W |
|
工作结温范围 |
TJ |
-40-155 |
℃ |
|
存储温度范围 |
TSTG |
-55-150 |
℃ |
|
ESD |
2,000 |
V |
八,相关芯片选择指南
|
隔离产品 |
|||||
|
产品型号 |
隔离/非隔离 |
内置功率管 |
封装形式 |
功率范围 |
|
|
Y |
MOSFET,650V/0.8A |
SOP-8 |
5-7W |
(SOP-8)_CN |
|
|
Y |
MOSFET,650V/1.2A |
SOP-8 |
7-9W |
(SOP-8)_CN |
|
|
Y |
MOSFET,650/2.0A |
DIP-7 |
12-18W |
(DIP-7)_CN |
|
|
Y |
MOSFET,700V/3.0A |
SOP-8,DIP-7 |
12-18W |
(SOP-8&DIP-7)_CN |
|
|
Y |
MOSFET,700V/4.0A |
DIP-7 |
18-24W |
(DIP-7)_CN |
|
|
Y |
MOSFET,BJT |
SOP-8 |
UP to 60W |
(SOP-8)_CN |
|
