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High frequency and low noise amplification high frequency bipolar NPN transistor cxnp5420 cxnp5420b silicon epitaxial NPN transistor with low noise and high power gain,
High frequency and low noise amplification high frequency bipolar NPN transistor cxnp5420 cxnp5420b silicon epitaxial NPN transistor with low noise and high power gain,
Manual
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[ CXNP5420 ]"
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Product introduction
目录
1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（PDF文档）
一.产品概述
低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管
二.产品特点
|
参数 |
符号 |
极值 |
单位 |
|
BC 击穿电压 |
VCBO |
20 |
V |
|
EC 击穿电压 |
VCEO |
12 |
V |
|
EB 击穿电压 |
VEBO |
3 |
V |
|
集电极电流 |
IC |
100 |
mA |
|
功耗 |
PC |
0.2 |
W |
|
结温度 |
Tj |
150 |
℃ |
|
存储温度 |
Tstg |
-65-+150 |
℃ |
|
参数 |
符号 |
最小 值. |
典型 值. |
最大 值 |
单位 |
条件 |
|
BC 击穿电压 |
BVCBO |
20 |
V |
IC=10uA |
||
|
EC 击穿电压 |
BVCEO |
12 |
V |
IC=1mA |
||
|
EB 击穿电压 |
BVEBO |
3 |
V |
IE=10uA |
||
|
集电极关断电流 |
ICBO |
1 |
uA |
VCB=10V |
||
|
发射极关断电流 |
IEBO |
1 |
uA |
VEB=1V |
||
|
直流增益 |
HFE*1 |
90 |
130 |
170 |
VCE= 10V, IC=20mA |
|
|
高频特性 |
||||||
|
特征频率 |
fT |
5 |
GHz |
VCE=10V, IC=20mA |
||
三.应用范围
高频低噪声放大
四.技术规格书（产品PDF)
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
五.产品封装图
六.电路原理图
七.相关芯片选择指南
| 高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor) | ||||||
| Part No. | Polarity | VCEO(Max.) | IC(Max.) | Ft(Typical) | Package | Application |
| CXNP5419 | NPN | 12V | 50mA | 3.0GHz | SOT23 | LNA |
| CXNP5419B | NPN | 12V | 80mA | 4.0GHz | SOT23 | LNA |
| CXNP5420 | NPN | 12V | 100mA | 5.0GHz | SOT23 | LNA |
| CXNP5420B | NPN | 12V | 200mA | 5.0GHz | SOT23 | LNA |
