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• 1.产品概述       2.产品特点     BrM嘉泰姆

• 3.应用范围       4.技术规格书下载（PDF文档）BrM嘉泰姆

• 5.产品封装       6.电路原理图  BrM嘉泰姆

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   产品概述 返回TOPBrM嘉泰姆

CXMS5222M3G Series N-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation in a very small outline surface mount package.

   产品特点 返回TOPBrM嘉泰姆

 30V/5.8A BrM嘉泰姆

RDS(ON) =25mΩ@ VGS=10V, ID=5.8A BrM嘉泰姆

RDS(ON) =28mΩ@ VGS=4.5V, ID=5A BrM嘉泰姆

RDS(ON) =37mΩ@ VGS=2.5V, ID=4A BrM嘉泰姆

 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance BrM嘉泰姆

 Subminiature surface mount package:SOT23-3LBrM嘉泰姆

   应用范围 返回TOPBrM嘉泰姆

 Battery management BrM嘉泰姆

 High speed switch BrM嘉泰姆

 Low power DC to DC converterBrM嘉泰姆

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产品封装图 返回TOPBrM嘉泰姆

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