Cxms5213xg series n-channel enhanced power field effect transistor (MOSFET) adopts DMOS channel technology with high cell density. This high density process is particularly suitable for reducing on resistance. Cxms5213xg is suitable for low voltage applications, such as power management of mobile phones, laptops and other battery power circuits
z VDS=20V ID=4.2A RDS(ON) =29mΩ@VGS=4.5V，ID=3A RDS(ON)
=36mΩ@VGS=2.5V，ID=2A
z 超大密度单元、极小的 RDS(ON)）
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[ CXMS5213 ]"
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产品概述 返回TOP
CXMS5213XG系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。 CXMS5213XG适用于低压应用，例如移动电 话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电 路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
产品特点 返回TOP
z VDS=20V ID=4.2A RDS(ON) =29mΩ@VGS=4.5V，ID=3A RDS(ON)
=36mΩ@VGS=2.5V，ID=2A
z 超大密度单元、极小的 RDS(ON)）
z 超小封装：SOT23
应用范围 返回TOP
z 电池电源管理
z 高速开关
z 低功率 DC DC 转换
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略
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MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管)>>>MOSFET(金属氧化层半导体场效应晶体管) |
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Part |
Mode |
VDS(Max) |
VGS |
ID(Max) |
RDS(on) |
Application |
Package |
|
N channel |
20V |
12V |
5.2A |
37mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
|
|
N channel |
20V |
8V |
3A |
22mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23/SOT23-3 |
|
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N channel |
20V |
12V |
5.2A |
29mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
|
|
Double N |
20V |
12V |
6A |
22mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOP8 |
|
|
N channel |
30V |
12V |
5.8A |
25mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23/SOT23-3 |
|
|
N channel |
30V |
20V |
4.4A |
35mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
SOT23 |
|
|
Double N |
20V |
12V |
6A |
21mΩ |
①②③④⑤ |
SOT23-6/ TSSOP8 |
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|
Double N |
20V |
12V |
5A |
19mΩ |
①②③④⑤⑥⑦⑧ |
TSSOP8/SOT26 |
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Applications： ①Mobile phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery Protection |
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