CXDR7527系列是为微处理器和电子系统提供低功耗电压检测芯片，具高精度低温漂的特点。该系列产品检测电压基本涵盖大部分电子产品的需求。低静态电流是其重要的优点。产品系列中包含了CMOS输出和漏端开路的N管输出。由于内置延时，减少了应用电路中的外围器件。
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[ CXDR7527 ]"
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一,产品概述(General Description) 需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！ 五,产品封装图 (Package)
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七,功能概述
CMOS 输出（特别地注意第 4 点）
① 当Vin端输入电压高于释放电压release voltage (VDR)，这个电压将逐步降低。当VIN端输入电压高于检测电压detect
voltage (VDF)，输出电压与输入电压相等。
注意N管漏开路输出方式中，Vin高时为输出等效高阻，采用上拉电阻，Vout应等于上拉电压。
② 当Vin下降至低于Vdf，Vout应该等于地电压。N管漏开路输出方式也是同样的功能。 当Vin低于最低工作电压，输出Vout
是不稳定的。N管漏开路输出方式中输出会被逐渐被上拉
④ Vin从地电位升起（不同于从高于最低工作电压的电位升起），在上升速度足够快的情况下，Vout等于上拉电压，否则将
等于地电位，经过延时候等于上拉电压。
⑤ Vin高于释放电压后，Vout将保持地电位直至内置延时结束。
⑥ 延时结束后，Vin将等于Vout，注意N管漏开路输出方式中，使用用上拉电阻才能实现此功能。
注意：
1．VDR 与VDF的区别在于VDF存在VDR加迟滞电压
2．内置延时(tDLY)表示Vin恢复至超过VDF后，至输出Vout变为Vin的这段时间
八,相关产品 -
产品名称
工作电压(V)
延迟
静态功耗(uA)
输出方式
封装形式
2.0-6.5
N
8
单节锂电池4段电量显示
SOT-23-6
0.7-7.0
Y
1.5
N-channel open drain or CMOS
SOT-143
0.7-6.0
Y
1.5
N-channel open drain or CMOS
SOT-23-3
0.7-7.0
Y
2
N-channel open drain or CMOS
SOT-23-3,SOT-89-3,TO-92
0.7-7.0
N
2
N-channel open drain or CMOS
SOT-23-3
1.5-7.0
N
4
N-channel open drain and CMOS
SOT-23-5,SOT-353
