Product information query
Products News
首页 > Products > Battery Charging Chip > Voltage Detector/RESET IC > Voltage Detector And RESET IC >CXDR7526微处理器电子系统低功耗电压检测芯片高精度低温漂的特点产品检测电压以0.1V为单位覆盖从1.5V至5V的电压范围低静态电流CMOS输出和漏端开路的N管输出
CXDR7526微处理器电子系统低功耗电压检测芯片高精度低温漂的特点产品检测电压以0.1V为单位覆盖从1.5V至5V的电压范围低静态电流CMOS输出和漏端开路的N管输出

CXDR7526系列是为微处理器和电子系统提供低功耗电压检测芯片,具高精度低温漂的特点。该系列产品检测电压以0.1V为单位覆盖从1.5V至5V的电压范围,基本涵盖大部分电子产品的需求。低静态电流是其重要的优点。产品系列中包含了CMOS输出和漏端开路的N管输出。由于内置延时,减少了应用电路中的外围器件,可提供手工复位的功能。

CXDR7526微处理器电子系统低功耗电压检测芯片高精度低温漂的特点产品检测电压以0.1V为单位覆盖从1.5V至5V的电压范围低静态电流CMOS输出和漏端开路的N管输出
Manual
Ordering

Ordering

Product introduction

一,产品概述(General Description)         GYv嘉泰姆
        CXDR7526系列是为微处理器和电子系统提供低功耗电压检测GYv嘉泰姆
芯片,具高精度低温漂的特点。该系列产品检测电压以0.1V为单位GYv嘉泰姆
覆盖从1.5V至5V的电压范围,基本涵盖大部分电子产品的需求。低GYv嘉泰姆
静态电流是其重要的优点。产品系列中包含了CMOS输出和漏端开路GYv嘉泰姆
的N管输出。由于内置延时,减少了应用电路中的外围器件,可提供手GYv嘉泰姆
工复位的功能。 GYv嘉泰姆
二.产品特点(Features)GYv嘉泰姆
输出电压精度高:精度可达±2.0% GYv嘉泰姆
低功耗: 小于1.5μA GYv嘉泰姆
产品检测范围 1.5V ~ 5.0V 0.1V步进 GYv嘉泰姆
工作电压范围: 0.7V-7.0V GYv嘉泰姆
检测电压温度特性: ±100ppm/℃(typ.) GYv嘉泰姆
内置延时: 典型值50ms,100ms,200ms,400ms可选 GYv嘉泰姆
输出配置: N-channel open drain或CMOS GYv嘉泰姆
工作电压=0.7-7.0V GYv嘉泰姆
延迟=Y GYv嘉泰姆
静态功耗=1.5uA GYv嘉泰姆
输出方式=N-channel open drain or CMOS GYv嘉泰姆
封装形式:SOT-143 GYv嘉泰姆
三,应用范围 (Applications)GYv嘉泰姆
微处理器复位电路 GYv嘉泰姆
存储器电池备份电路 GYv嘉泰姆
上电复位电路 GYv嘉泰姆
供电失效检测 GYv嘉泰姆
系统电池寿命和充电电压监测 GYv嘉泰姆
延迟电路 GYv嘉泰姆

四.下载产品资料PDF文档 GYv嘉泰姆

   需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持GYv嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgGYv嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)GYv嘉泰姆

GYv嘉泰姆
六.电路原理图GYv嘉泰姆
blob.pngGYv嘉泰姆

  • 七,功能概述GYv嘉泰姆

  • 参数GYv嘉泰姆

    符号GYv嘉泰姆

    最大值GYv嘉泰姆

    单位GYv嘉泰姆

    电源输入电压GYv嘉泰姆

    VCCGYv嘉泰姆

    -0.3 至 5.5GYv嘉泰姆

    VGYv嘉泰姆

    MR 输出电压GYv嘉泰姆

    VMRGYv嘉泰姆

    -0.3 至 VCC+0.3GYv嘉泰姆

    VGYv嘉泰姆

    输出电压GYv嘉泰姆

    CMOSGYv嘉泰姆

    VRESETGYv嘉泰姆

    -0.3 至 VCC + 0.3GYv嘉泰姆

    VGYv嘉泰姆

    N 管漏开路GYv嘉泰姆

    -0.3 至 5.5GYv嘉泰姆

    最大持续输入电流GYv嘉泰姆

         

    IVCC,IMRGYv嘉泰姆

     

    mAGYv嘉泰姆

       

    输出电流GYv嘉泰姆

    IRESETGYv嘉泰姆

    20GYv嘉泰姆

    mAGYv嘉泰姆

    输入电压摆率GYv嘉泰姆

    dVCC/dtGYv嘉泰姆

    100GYv嘉泰姆

    V/usGYv嘉泰姆

    操作温度范围GYv嘉泰姆

    ToprGYv嘉泰姆

    -40~+150GYv嘉泰姆

    GYv嘉泰姆

    保存温度范围(10s)GYv嘉泰姆

    TstgGYv嘉泰姆

    300GYv嘉泰姆

    GYv嘉泰姆

    热敏电阻GYv嘉泰姆

    θJAGYv嘉泰姆

    200GYv嘉泰姆

    ℃/WGYv嘉泰姆

    最大功耗GYv嘉泰姆

    PDGYv嘉泰姆

    320GYv嘉泰姆

    mWGYv嘉泰姆

  • 八,相关产品GYv嘉泰姆

  • 产品名称GYv嘉泰姆

    工作电压(V)GYv嘉泰姆

    延迟GYv嘉泰姆

    静态功耗(uA)GYv嘉泰姆

    输出方式GYv嘉泰姆

    封装形式GYv嘉泰姆

    CXDR7525AGYv嘉泰姆

    2.0-6.5GYv嘉泰姆

    NGYv嘉泰姆

    8GYv嘉泰姆

    单节锂电池4段电量显示GYv嘉泰姆

    SOT-23-6GYv嘉泰姆

    CXDR7526GYv嘉泰姆

    0.7-7.0GYv嘉泰姆

    YGYv嘉泰姆

    1.5GYv嘉泰姆

    N-channel open drain   or CMOSGYv嘉泰姆

    SOT-143GYv嘉泰姆

    CXDR7527GYv嘉泰姆

    0.7-6.0GYv嘉泰姆

    YGYv嘉泰姆

    1.5GYv嘉泰姆

    N-channel open drain   or CMOSGYv嘉泰姆

    SOT-23-3GYv嘉泰姆

    CXDR7528FGYv嘉泰姆

    0.7-7.0GYv嘉泰姆

    YGYv嘉泰姆

    2GYv嘉泰姆

    N-channel open drain   or CMOSGYv嘉泰姆

    SOT-23-3,SOT-89-3,TO-92GYv嘉泰姆

    CXDR7528CGYv嘉泰姆

    0.7-7.0GYv嘉泰姆

    NGYv嘉泰姆

    2GYv嘉泰姆

    N-channel open drain   or CMOSGYv嘉泰姆

    SOT-23-3GYv嘉泰姆

    CXDR7528BGYv嘉泰姆

    1.5-7.0GYv嘉泰姆

    NGYv嘉泰姆

    4GYv嘉泰姆

    N-channel open drain   and CMOSGYv嘉泰姆

    SOT-23-5,SOT-353GYv嘉泰姆

GYv嘉泰姆