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P-channel enhanced FET cxcp5364 requires simple driving with low on resistance and high reliability

P-channel enhanced FET cxcp5364 requires simple driving with low on resistance and high reliability

P-channel enhanced FET cxcp5364 requires simple driving with low on resistance and high reliability
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Product introduction

一,产品概述(General Description)         1G4嘉泰姆


VDSS1G4嘉泰姆

ID1G4嘉泰姆

RDS(ON)(mΩ)TYP1G4嘉泰姆

-20V1G4嘉泰姆

-4.5A/-0.3A1G4嘉泰姆

135 @ VGS=-4.5V1G4嘉泰姆

115 @ VGS=-2.5V1G4嘉泰姆

Vdss=-30V 1G4嘉泰姆
Vgss=±20V 1G4嘉泰姆
Id=-4.4A 1G4嘉泰姆
Idm=-30A 1G4嘉泰姆
Is=-1A 1G4嘉泰姆
封装形式:SOT-23-3L/B 1G4嘉泰姆
二.产品特点(Features)
1G4嘉泰姆


导通电阻1G4嘉泰姆
可靠性1G4嘉泰姆
驱动要求简单1G4嘉泰姆
采用 SOT-23-3L/B 封装1G4嘉泰姆
三,应用范围 (Applications)
1G4嘉泰姆


1G4嘉泰姆
四.下载产品资料PDF文档 1G4嘉泰姆


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!1G4嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpg1G4嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)1G4嘉泰姆


image.png1G4嘉泰姆
1G4嘉泰姆
六.电路原理图
1G4嘉泰姆


image.png1G4嘉泰姆

七,功能概述1G4嘉泰姆


参数1G4嘉泰姆

符号1G4嘉泰姆

条件1G4嘉泰姆

最小1G4嘉泰姆

典型1G4嘉泰姆

最大1G4嘉泰姆

单位1G4嘉泰姆

关态特性1G4嘉泰姆

漏源击穿电压1G4嘉泰姆

BVDSS1G4嘉泰姆

VGS=0V, ID=-250μA1G4嘉泰姆

-301G4嘉泰姆

   

V1G4嘉泰姆

零栅压漏电流1G4嘉泰姆

IDSS1G4嘉泰姆

VDS=-24V, VGS=0V1G4嘉泰姆

   

-11G4嘉泰姆

μA1G4嘉泰姆

栅-衬漏电流1G4嘉泰姆

IGSS1G4嘉泰姆

VDS=0V, VGS=±20V1G4嘉泰姆

   

±1001G4嘉泰姆

nA1G4嘉泰姆

开态特性1G4嘉泰姆

栅极阈值电压1G4嘉泰姆

VGS(th)1G4嘉泰姆

VDS=VGS, ID=-250μA1G4嘉泰姆

-0.71G4嘉泰姆

-11G4嘉泰姆

-1.51G4嘉泰姆

V1G4嘉泰姆

漏源通态电阻1G4嘉泰姆

RDS(ON)1G4嘉泰姆

VGS=-10V, ID=-4.2A1G4嘉泰姆

 

451G4嘉泰姆

521G4嘉泰姆

1G4嘉泰姆

VGS=-4.5V, ID=-4A1G4嘉泰姆

 

581G4嘉泰姆

651G4嘉泰姆

正向跨导1G4嘉泰姆

           

gfs1G4嘉泰姆

VGS=-5V, ID=-5A1G4嘉泰姆

 

101G4嘉泰姆

 

S1G4嘉泰姆

 

动态参数1G4嘉泰姆

输入电容1G4嘉泰姆

CISS1G4嘉泰姆

VDS=-15V ,VGS=0V1G4嘉泰姆

 

9501G4嘉泰姆

 

pF1G4嘉泰姆

输出电容1G4嘉泰姆

COSS1G4嘉泰姆

f=1.0MHz1G4嘉泰姆

 

1151G4嘉泰姆

 

反向传输电容1G4嘉泰姆

         

CRSS1G4嘉泰姆

 

751G4嘉泰姆

       

开关特性1G4嘉泰姆

开通延迟时间1G4嘉泰姆

tD(ON)1G4嘉泰姆

VDD=-15V1G4嘉泰姆

 

71G4嘉泰姆

 

ns1G4嘉泰姆

上升时间1G4嘉泰姆

tr1G4嘉泰姆

ID=-3.2A1G4嘉泰姆

 

31G4嘉泰姆

 

关断延迟时间1G4嘉泰姆

 

VGEN=-10V1G4嘉泰姆

     

tD(OFF)1G4嘉泰姆

 

RGEN=6ohm1G4嘉泰姆

301G4嘉泰姆

   

下降时间1G4嘉泰姆

           

tf1G4嘉泰姆

 

121G4嘉泰姆

       

栅极总电荷1G4嘉泰姆

           

Qg1G4嘉泰姆

VDS=-15V,ID=-4A1G4嘉泰姆

 

9.51G4嘉泰姆

 

nC1G4嘉泰姆

 

栅源电荷1G4嘉泰姆

VGS=-4.5V1G4嘉泰姆

Qgs1G4嘉泰姆

 

21G4嘉泰姆

 

栅漏电荷1G4嘉泰姆

         

Qgd1G4嘉泰姆

 

31G4嘉泰姆

       

漏源二极管特征参数1G4嘉泰姆

漏源二极管正向电压1G4嘉泰姆

VSD1G4嘉泰姆

VGS=0V,Is=-1 A1G4嘉泰姆

 

-0.811G4嘉泰姆

-1.21G4嘉泰姆

V1G4嘉泰姆

八,相关产品1G4嘉泰姆


产品名称1G4嘉泰姆

Vdss(V)1G4嘉泰姆

Vgss(V)1G4嘉泰姆

Id(A)1G4嘉泰姆

Idm(A)1G4嘉泰姆

Is(A)1G4嘉泰姆

封装形式1G4嘉泰姆

CXCP53621G4嘉泰姆

-301G4嘉泰姆

±201G4嘉泰姆

-4.41G4嘉泰姆

-301G4嘉泰姆

-11G4嘉泰姆

SOT-23-31G4嘉泰姆

CXCP5363B1G4嘉泰姆

-201G4嘉泰姆

±121G4嘉泰姆

-1.11G4嘉泰姆

-2.41G4嘉泰姆

-0.261G4嘉泰姆

SOT-5231G4嘉泰姆

CXCP53631G4嘉泰姆

-201G4嘉泰姆

±121G4嘉泰姆

-0.81G4嘉泰姆

-2.81G4嘉泰姆

-0.581G4嘉泰姆

SOT-23-31G4嘉泰姆

CXCP53641G4嘉泰姆

-201G4嘉泰姆

±121G4嘉泰姆

-0.81G4嘉泰姆

-1.81G4嘉泰姆

-0.581G4嘉泰姆

SOT-23-31G4嘉泰姆

CXCP53651G4嘉泰姆

-201G4嘉泰姆

±121G4嘉泰姆

-3.61G4嘉泰姆

-111G4嘉泰姆

-1.251G4嘉泰姆

SOT-23-31G4嘉泰姆

1G4嘉泰姆