CXMS5271  20V高密度设计的P沟道MOS管超低导通电阻笔记本电脑的电源管理便携式设备和电池供电系统
 20V 高密度设计的 P 沟道 MOS 管 
 超低导通电阻 
 RDS(ON)=50mΩ , TYP@VGS= -4.5V 
 RDS(ON)=60mΩ, TYP@VGS= -2.5V
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[ CXMS5271 ]"
 
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 20V 高密度设计的 P 沟道 MOS 管
 超低导通电阻
 RDS(ON)=50mΩ , TYP@VGS= -4.5V
 RDS(ON)=60mΩ, TYP@VGS= -2.5V
应用范围 返回TOP
 笔记本电脑的电源管理、便携式设备和电池供电系统
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			 P 沟道增强型 MOS 场效应管  | 
			
			 笔记本、便携式设备等  | 
			
			 SOT23-3  | 
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			 电源管理、小功率驱动等  | 
			
			 SOT23-3  | 
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			 30V P 沟道 MOS 场效应管  | 
			
			 笔记本、便携式设备等  | 
			
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			 20V P 沟道增加型 MOS 场效应管  | 
			
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			 SOP-8  | 
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			 P 沟道增强型 MOS 场效应管  | 
			
			 笔记本、便携式设备等  | 
			
			 SOT23  | 
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			 -30V P 沟道增强型 MOS 场效应管  | 
			
			 LED屏驱动等  | 
			
			 SOT23-6  | 
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			 20V 高密度 P 沟道 MOS 管  | 
			
			 笔记本、便携式设备等  | 
			
			 SOP-8  | 
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			 30V P 沟道增加型 MOS 场效应管  | 
			
			 电源管理、小功率驱动等  | 
			
			 SOP-8  | 
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			 双重增强型 MOSFET(N-P 沟道)  | 
			
			 笔记本电脑的电源管理系统、便携式设备和供电系统  | 
			
			 SOP-8  | 
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			 20V P 沟道增强型 MOS 场效应管  | 
			
			 LED屏驱动等  | 
			
			 SOP-8  | 
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			 30V P 沟道增强型 MOS 场效应管  | 
			
			 LED屏驱动等  | 
			
			 SOP-8  | 
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			 30V P 沟道增强型 MOS 场效应管  | 
			
			 LED屏驱动等  | 
			
			 SOP-8  | 
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