Cxle82112 is a three-phase gate drive circuit for n-type power MOSFET, IGBT and other high-voltage and high-speed power devices, which mainly consists of three independent half bridge drive circuits. The built-in dead time ensures that the upper and lower bridge arms of the power tube will not be connected at the same time. Built in input signal filtering to prevent noise interference. External enable control is provided to turn off six channel output at the same time. In addition, it also has undervoltage protection and over-current protection functions. In case of any abnormality, it will immediately turn off the six channel output
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[ CXLE82112 ]"
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产品概述 返回TOP
CXLE82112 是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独 立的半桥驱动电路。 内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声 干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。 此外，它还具有欠压保护和过流保护功能，出现异常时 立即关断六通道输出。
产品特点 返回TOP
高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V
适应 5V 或者 3.3V 输入电压
输出电流能力+0.2A/-0.35A
欠压保护
使能控制
输入输出相反
过流保护关断六通道输出
集成三个独立的半桥驱动器
内建死区控制电路
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
封装形式：SOP28L
应用范围 返回TOP
三相电机驱动
DC-AC 逆变
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MOSFET驱动芯片 |
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型号 |
工作型号 |
电流 |
封装 |
说明 |
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3V～30V |
1A |
SOP-8 |
单通道MOS驱动 |
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8V～30V |
SOP-8 |
半桥驱动芯片 |
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|
3V~30V |
1A |
SOP-8 |
单通道功率MOSFET驱动芯片 |
|
|
11V～30V |
SOP8 |
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片 |
||
|
11V～30V |
SOP-8 |
大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片 |
||
|
10V-15V |
SOP-8 |
大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片 |
||
|
2.8V-20V |
1A/1.5A |
SOP-8 |
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片 |
|
|
2.8V-20V |
1A/1.5A |
SOP-8 |
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片 |
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|
5V 3.3V |
0.2A/-0.35A |
SOP28L |
三相半桥电路驱动芯片 |
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|
4.5V-20V |
1.2A/-1.4A |
TSSOP20 |
三相半桥驱动芯片 |
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2.8V-20V |
1.8A/-1.8A |
SOP28L |
两相半桥驱动芯片 |
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