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1.产品概述                       2.产品特点bes嘉泰姆
3.应用范围                       4.下载产品资料PDF文档 bes嘉泰姆
5.产品封装图                     6.电路原理图                   bes嘉泰姆
7.功能概述                        8.相关产品bes嘉泰姆

一,产品概述(General Description)      bes嘉泰姆

        CXPR7128C系列IC，内置高精度电压检测电路和延时电路，是用于 2 节串联锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护 IC。bes嘉泰姆

       CXPR7128C适合于对2节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护。bes嘉泰姆
二.产品特点(Features)bes嘉泰姆

CXPR7128C全系列IC具备如下特点：bes嘉泰姆

（1）高精度电压检测电路bes嘉泰姆

● 过充电检测电压V CUn（n＝1，2）:4.10V~4.50V    精度 ±25mVbes嘉泰姆
● 过充电释放电压V CRn（n＝1，2）:3.90V~4.30V     精度 ±50mVbes嘉泰姆
● 过放电检测电压V DLn（n＝1，2）:2.00V~3.20V     精度 ±80mVbes嘉泰姆
● 过放电释放电压V DRn（n＝1，2）:2.30V~3.40V    精度 ±100mVbes嘉泰姆
● 放电过流检测电压:(可选择)   bes嘉泰姆
● 充电过流检测电压:(可选择)       精度±30mVbes嘉泰姆
● 负载短路检测电压:1.0V (固定)   精度±0.4Vbes嘉泰姆

（2）各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容）bes嘉泰姆

         过充电检测延迟时间  : 典型值 1000msbes嘉泰姆
         过放电检测延迟时间   :典型值 110msbes嘉泰姆
        放电过流检测延迟时间:典型值 10msbes嘉泰姆
        充电过流检测延迟时间:典型值 7msbes嘉泰姆
        负载短路检测延迟时间:典型值 250μsbes嘉泰姆

（3）低耗电流（具有休眠功能的型号）bes嘉泰姆

        工作模式     典型值 5.0μA ，最大值 9.0μA（VDD=7.8V）bes嘉泰姆

        休眠模式     最大值 0.1μA（VDD=4.0V）bes嘉泰姆

（4）连接充电器的端子采用高耐压设计bes嘉泰姆
      （CS 端子和 OC 端子，绝对最大额定值是 33V）bes嘉泰姆
（5）向 0V 电池充电功能：可以选择“允许”或“禁止”bes嘉泰姆
（6）宽工作温度范围：-40℃～+85℃bes嘉泰姆
（7）小型封装：SOT-23-6bes嘉泰姆

（8）CXPR7128C
系列是无卤素绿色环保产品bes嘉泰姆
三,应用范围 (Applications)bes嘉泰姆

● 2 节串联锂离子可再充电电池组bes嘉泰姆
● 2 节串联锂聚合物可再充电电池组bes嘉泰姆

四.下载产品资料PDF文档 bes嘉泰姆

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！bes嘉泰姆

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五,产品封装图 (Package)bes嘉泰姆

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六.电路原理图bes嘉泰姆

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1、R1或R2连接过大电阻，由于耗电流会在R1或R2上产生压降，影响检测电压精度。当充电器反接时，bes嘉泰姆
电流从充电器流向IC，若R1或R2过大有可能导致VDD-VSS端子间电压超过绝对最大额定值的情况发生。bes嘉泰姆
*2、R3 连接过大电阻，当连接高电压充电器时，有可能导致不能切断充电电流的情况发生。但为控制充bes嘉泰姆
电器反接时的电流，请尽可能选取较大的阻值。bes嘉泰姆
*3、C1和C2有稳定VDD电压的作用，请不要连接0.01μF以下的电容。bes嘉泰姆
*4、使用MOSFET的阈值电压在过放电检测电压以上时，可能导致在过放电保护之前停止放电。bes嘉泰姆
*5、门极和源极之间耐压在充电器电压以下时，N-MOSFET有可能被损坏。bes嘉泰姆
七,功能概述bes嘉泰姆

此IC持续检测连接在VDD与VC端子之间电池 1 的电压、连接在VC与VSS端子之间电池 2 的电压，以bes嘉泰姆
及CS与VSS端子之间的电压差，来控制充电和放电。当电池 1 和电池 2 的电压都在过放电检测电压（V DLn）bes嘉泰姆
以上并在过充电检测电压（V CUn）以下，且CS端子电压在充电过流检测电压（V CIP）以上并在放电过流检bes嘉泰姆
测电压（V DIP）以下时，IC的OC和OD端子都输出高电平，使充电控制用MOSFET和放电控制用MOSFETbes嘉泰姆
同时导通，这个状态称为“正常工作状态”。此状态下，充电和放电都可以自由进行。bes嘉泰姆
注意：初次连接电芯时，会有不能放电的可能性，此时，短接 CS 端子和 VSS 端子，或者连接充电bes嘉泰姆
器，就能恢复到正常工作状态。bes嘉泰姆
11.2. 过充电状态bes嘉泰姆
11.2.1. 过充释放代码 A 的型号bes嘉泰姆
正常工作状态下的电池，在充电过程中，连接在VDD与VC端子之间电池1的电压或连接在VC与VSSbes嘉泰姆
端子之间电池2的电压，超过过充电检测电压（V CUn），并且这种状态持续的时间超过过充电检测延迟时bes嘉泰姆
间（T OC）时，IC的OC端子输出电压由高电平变为低电平，关闭充电控制用的MOSFET（OC端子），停bes嘉泰姆
止充电，这个状态称为“过充电状态”。bes嘉泰姆
过充电状态在如下两种情况下可以释放，OC.端子输出电压由低电平变为高电平，使充电控制用bes嘉泰姆
MOSFET导通。bes嘉泰姆
（1）断开充电器，由于自放电使电池 1 和电池 2 的电压都降低到过充电释放电压（V CRn）以下时，bes嘉泰姆
过充电状态释放，恢复到正常工作状态。bes嘉泰姆
（2）断开充电器，连接负载，当电池 1 和电池 2 的电压都降低到过充电检测电压（V CUn）以下时，bes嘉泰姆
过充电状态释放，恢复到正常工作状态。bes嘉泰姆
备注：进入过充电状态的电池，如果仍然连接着充电器，即使电池 1 电压和电池 2 电压都低于过充电bes嘉泰姆
释放电压（V CRn），过充电状态也不能释放。断开充电器，CS端子电压高于充电过流检测电压（V CIP）以bes嘉泰姆
上时，过充电状态才能释放。bes嘉泰姆
11.2.2. 过充释放代码 B 的型号bes嘉泰姆
正常工作状态下的电池，在充电过程中，连接在VDD与VC端子之间电池1的电压或连接在VC与VSSbes嘉泰姆
端子之间电池2的电压，超过过充电检测电压（V CUn），并且这种状态持续的时间超过过充电检测延迟时bes嘉泰姆
间（T OC）时，IC的OC端子输出电压由高电平变为低电平，关闭充电控制用的MOSFET（OC端子），停bes嘉泰姆
止充电，这个状态称为“过充电状态”。bes嘉泰姆
过充电状态在如下两种情况下可以释放，OC端子输出电压由低电平变为高电平，使充电控制用bes嘉泰姆
MOSFET导通。bes嘉泰姆
（1）由于自放电使电池1电压和电池2电压都降低到过充电释放电压（V CRn）以下时，过充电状态释放，bes嘉泰姆
恢复到正常工作状态。bes嘉泰姆
（2）移走充电器并连接负载，当电池电压降低到过充电检测电压（V CUn）以下时，过充电状态释放，bes嘉泰姆
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