Cxms5261 power management, low power drive and other advanced processing technology, very low on resistance, high density cell design
VDS= -30V
RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-7A = 12mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-5A = 17mΩ@TYP
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[ CXMS5261 ]"
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产品概述 返回TOP
VDS= -30V
RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-7A = 12mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-5A = 17mΩ@TYP
产品特点 返回TOP
高级的加工技术
极低的导通电阻高密度的单元设计
改良的成型工艺
应用范围 返回TOP
电源管理、小功率驱动等
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产品封装图 返回TOP
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MOSFET类 MOSFET CLASS>>>MOS管 MOS TUBE |
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型号 |
功能 |
适用范围 |
封装 |
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18V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOT23-3 |
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P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
笔记本、便携式设备等 |
SOT23-3 |
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电源管理、小功率驱动等 |
SOT23-3 |
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30V P 沟道 MOS 场效应管 |
笔记本、便携式设备等 |
SOT-23 |
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20V P 沟道增加型 MOS 场效应管 |
TFT屏、数码相机、便携式小音响等 |
SOP-8 |
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P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
笔记本、便携式设备等 |
SOT23 |
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-30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
LED屏驱动等 |
SOT23-6 |
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20V 高密度 P 沟道 MOS 管 |
笔记本、便携式设备等 |
SOP-8 |
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30V P 沟道增加型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOP-8 |
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双重增强型 MOSFET(N-P 沟道) |
笔记本电脑的电源管理系统、便携式设备和供电系统 |
SOP-8 |
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20V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
LED屏驱动等 |
SOP-8 |
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30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
LED屏驱动等 |
SOP-8 |
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30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
LED屏驱动等 |
SOP-8 |
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