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Very low on resistance, high density cell design, advanced processing technology, 20V p-channel enhanced MOS FET cxms5254, cxms5255

极低的导通电阻高密度的单元设计,高级的加工技术,20V P沟道增强型MOS场效应管CXMS5254,CXMS5255
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.0A = 48mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-0.5A = 75mΩ@TYP

Very low on resistance, high density cell design, advanced processing technology, 20V p-channel enhanced MOS FET cxms5254, cxms5255
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   产品概述 返回TOP3pF嘉泰姆


RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.0A = 48mΩ@TYP 

RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-0.5A = 75mΩ@TYP

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   产品特点 返回TOP3pF嘉泰姆


 高级的加工技术 3pF嘉泰姆

 极低的导通电阻高密度的单元设计3pF嘉泰姆

   应用范围 返回TOP3pF嘉泰姆


  笔记本、便携式设备等3pF嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpg3pF嘉泰姆

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