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CXHA3128基于混合信号CMOS技术无极性霍尔开关内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源磁开关点的高灵敏度高稳定性无极性的开关抗机械应力强

CXHA3128 CXHA3129 CXHA3130是一款基于混合信号CMOS 技术的无极性
霍尔开关,这款IC 采用了先进的斩波稳定技术,因而能够提供准确而稳定的磁开关
点。在电路设计上,CXHA3128 CXHA3129 CXHA3130提供了一个内嵌的受控时钟机
制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源,同时这个受控时钟机制可以发出控
制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式;同样通过这个机制,芯片
被周期性的“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔器件磁场强度的
大小。如果磁通密度高于“操作点”阈值或者低于“释放点”阈值,则开漏输出晶体管被驱
动并锁存成与之相对应的状态。而在“休眠”周期中,输出晶体管被锁定在其先前
的状态下。在电池供电应用中,这种设计对于延长工作寿命提供了最好支持。
CXHA3128 CXHA3129 CXHA3130的输出晶体管在面向封装标示一面存在一定强南
极或北极磁场时被锁定在开状态,而在无磁场时锁定在关状态。CXHA3128比
CXHA3129具有更高的磁场感应灵敏度,可实用于安防系统、感应磁体较小的场合。
2.0-5.5V 电池应用
磁开关点的高灵敏度高稳定性
抗机械应力强
数字输出信号
无极性的开关
工作电压=1.65-6.0V
平均电流=3uA
极性及输出方式: 无极性触发,NMOS开漏输出
磁场特性: Bops=1.5mT,Bopn=1.5mT,Brps=1.1mT,Brpn=1.1mT,Bhys=0.4mT

CXHA3128基于混合信号CMOS技术无极性霍尔开关内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源磁开关点的高灵敏度高稳定性无极性的开关抗机械应力强
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一,产品概述(General Description)         40G嘉泰姆
          CXHA3128 CXHA3129 CXHA3130是一款基于混合信号CMOS 技术的无极性40G嘉泰姆
霍尔开关,这款IC 采用了先进的斩波稳定技术,因而能够提供准确而稳定的磁开关40G嘉泰姆
点。在电路设计上,CXHA3128 CXHA3129 CXHA3130提供了一个内嵌的受控时钟机40G嘉泰姆
制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源,同时这个受控时钟机制可以发出控40G嘉泰姆
制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式;同样通过这个机制,芯片40G嘉泰姆
被周期性的“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔器件磁场强度的40G嘉泰姆
大小。如果磁通密度高于“操作点”阈值或者低于“释放点”阈值,则开漏输出晶体管被驱40G嘉泰姆
动并锁存成与之相对应的状态。而在“休眠”周期中,输出晶体管被锁定在其先前40G嘉泰姆
的状态下。在电池供电应用中,这种设计对于延长工作寿命提供了最好支持。40G嘉泰姆
CXHA3128 CXHA3129 CXHA3130的输出晶体管在面向封装标示一面存在一定强南
40G嘉泰姆

极或北极磁场时被锁定在开状态,而在无磁场时锁定在关状态。CXHA3128比40G嘉泰姆

CXHA3129具有更高的磁场感应灵敏度,可实用于安防系统、感应磁体较小的场合。40G嘉泰姆

二.产品特点(Features)40G嘉泰姆
2.0-5.5V 电池应用 40G嘉泰姆
磁开关点的高灵敏度高稳定性 40G嘉泰姆
抗机械应力强 40G嘉泰姆
数字输出信号 40G嘉泰姆
无极性的开关 40G嘉泰姆
工作电压=1.65-6.0V 40G嘉泰姆
平均电流=3uA 40G嘉泰姆
极性及输出方式: 无极性触发,NMOS开漏输出 40G嘉泰姆
磁场特性: Bops=1.5mT,Bopn=1.5mT,Brps=1.1mT,Brpn=1.1mT,Bhys=0.4mT 40G嘉泰姆
封装形式: SOT-23-3,TSOT-23-3,TO-92,TO-92S 40G嘉泰姆
三,应用范围 (Applications)40G嘉泰姆
移动电话 40G嘉泰姆
笔记本电脑 40G嘉泰姆
便携电子设备等 40G嘉泰姆
四.下载产品资料PDF文档 
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 QQ截图20160419174301.jpg40G嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)40G嘉泰姆

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六.电路原理图40G嘉泰姆
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七,功能概述40G嘉泰姆

符号40G嘉泰姆

参数40G嘉泰姆

测试条件40G嘉泰姆

最小40G嘉泰姆

典型40G嘉泰姆

最大40G嘉泰姆

单位40G嘉泰姆

VDD40G嘉泰姆

供电电压40G嘉泰姆

40G嘉泰姆

2.040G嘉泰姆

40G嘉泰姆

5.540G嘉泰姆

V40G嘉泰姆

ISAVG40G嘉泰姆

平均供电电流40G嘉泰姆

 

140G嘉泰姆

340G嘉泰姆

1040G嘉泰姆

uA40G嘉泰姆

ISOPAVG40G嘉泰姆

操作时间内平均电流40G嘉泰姆

 

0.540G嘉泰姆

2.040G嘉泰姆

3.540G嘉泰姆

mA40G嘉泰姆

ISOPT40G嘉泰姆

操作时间内峰值电流40G嘉泰姆

     

4.540G嘉泰姆

mA40G嘉泰姆

ISSTB40G嘉泰姆

关状态时供电电流40G嘉泰姆

 

140G嘉泰姆

1.940G嘉泰姆

840G嘉泰姆

uA40G嘉泰姆

VQSAT40G嘉泰姆

输出饱和电压40G嘉泰姆

IOUT=1mA40G嘉泰姆

 

0.1340G嘉泰姆

0.440G嘉泰姆

V40G嘉泰姆

IQLEAK40G嘉泰姆

输出漏电流40G嘉泰姆

   

0.0140G嘉泰姆

140G嘉泰姆

uA40G嘉泰姆

tr40G嘉泰姆

输出上升沿时间40G嘉泰姆

RL=2.7KΩ CL=10pF40G嘉泰姆

 

0.540G嘉泰姆

140G嘉泰姆

us40G嘉泰姆

rf40G嘉泰姆

输出下降沿时间40G嘉泰姆

RL=2.7KΩ CL=10pF40G嘉泰姆

 

0.140G嘉泰姆

140G嘉泰姆

us40G嘉泰姆

top40G嘉泰姆

工作时间40G嘉泰姆

 

2540G嘉泰姆

10040G嘉泰姆

16040G嘉泰姆

us40G嘉泰姆

tstb40G嘉泰姆

关状态工作时间40G嘉泰姆

 

6040G嘉泰姆

14040G嘉泰姆

24040G嘉泰姆

ms40G嘉泰姆

top/tstb40G嘉泰姆

占空比40G嘉泰姆

   

0.07140G嘉泰姆

 

%40G嘉泰姆

tstu40G嘉泰姆

芯片启动时间40G嘉泰姆

   

1240G嘉泰姆

2040G嘉泰姆

us40G嘉泰姆

八,相关产品40G嘉泰姆


产品名称40G嘉泰姆

工作电压(V)40G嘉泰姆

平均电流(uA)40G嘉泰姆

极性及输出方式40G嘉泰姆

磁场特性40G嘉泰姆

封装形式40G嘉泰姆

CXHA312840G嘉泰姆

1.65-6.040G嘉泰姆

340G嘉泰姆

无极性触发,NMOS开漏输出40G嘉泰姆

Bops=1.5mT,Bopn=1.5mT,Brps=1.1mT,Brpn=1.1mT,Bhys=0.4mT40G嘉泰姆

SOT-23-3,TSOT-23-3,TO-92,TO-92S40G嘉泰姆

CXHA312940G嘉泰姆

1.65-6.040G嘉泰姆

340G嘉泰姆

无极性触发,NMOS开漏输出40G嘉泰姆

Bops=3.5mT,Bopn=3.5mT,Brps=2.7mT,Brpn=2.6mT,Bhys=0.8mT40G嘉泰姆

SOT-23-3,TSOT-23-3,TO-92S40G嘉泰姆

CXHA313040G嘉泰姆

2.4-5.540G嘉泰姆

440G嘉泰姆

无极性触发,CMOS输出40G嘉泰姆

Bops=3.0mT,Bopn=3.0mT,Brps=2.0mT,Brpn=2.0mT,Bhys=1.0mT40G嘉泰姆

SOT-553,SOT-23-3L40G嘉泰姆